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PECVD生長氮化硅介質(zhì)膜的工藝研究

[摘要]  對PECVD生長氮化硅介質(zhì)膜的工藝條件進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,獲得了生長氮化硅介質(zhì)膜的最佳工藝條件,制作出了高質(zhì)量的氮化硅質(zhì)膜.
下載說明: 文件大小:0.19MB | 文件格式:PDF | 上網(wǎng)時(shí)間:2009-05-04
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