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Exynos 990中藏有三星真正的7LPP工藝

去年，三星宣布在其Exynos 9825中使用的7LPP工藝中引入了EUV。通過對(duì)芯片的分析，我們發(fā)現(xiàn)他們?cè)?825中的所謂7LPP工藝與在Exynos 9820中的8LPP工藝之間幾乎沒有區(qū)別。

現(xiàn)在，我們很高興地說，我們?cè)谄淦炫灝a(chǎn)品Galaxy S20中的Exynos 990中發(fā)現(xiàn)了三星真正的7LPP工藝。如我們所料，這款7納米EUV工藝是迄今觀察到的三星密度最高的。

憑借27nm的fin節(jié)距，這一突破性創(chuàng)新使NMOS和PMOS晶體管的3fin／3fin版圖可保持268nm的較小標(biāo)準(zhǔn)單元高度，同時(shí)擁有高驅(qū)動(dòng)電流。

與臺(tái)積電的7nm 3／3 7．5T 300nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度和 2／2 6T 240nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度相比，EUV光刻實(shí)現(xiàn)的密度確實(shí)更高。

英特爾的10納米制程具有相近的272nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度，但是采用了2／3 的fin數(shù)比例。除了節(jié)距微縮外，三星還以令人驚訝的實(shí)現(xiàn)方式推出了SDB，該SDB縮短了所需的晶體管隔離距離，最初宣布SDB會(huì)在其6LPP工藝平臺(tái)中進(jìn)行部署。

聲明： 本文由入駐維科號(hào)的作者撰寫，觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表OFweek立場(chǎng)。如有侵權(quán)或其他問題，請(qǐng)聯(lián)系舉報(bào)。

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